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SI2301BDS-T1-E3中文资料

SI2301BDS-T1-E3图片

SI2301BDS-T1-E3外观图

  • 大小:88.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:2.2A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.95V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Id Max:2.2A; Current, Idm Pulse:10A; No. of Pins:3; Power Dissipation:0.7W; Power Output:0.7W; Power, Pd:0.7W; Power, Ptot:0.7W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on @ Vgs = 2.5V P Channel:.15ohm; Resistance, Rds on @ Vgs = 4.5V P Channel:.1ohm; Resistance, Rds on Max:0.1ohm; SMD Marking:L1; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Powe...
  • 数据列表:SI2301BDS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:100 毫欧 @ 2.8A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):950mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:375pF @ 6V
  • 功率 - 最大:700mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2301BDS-T1-E3TR

SI2301BDS-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-27 02:14:09
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SI2301BDS-T1-E3

    SI2301BDS-T1-E3
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 12000

  • VISHAY

  • SOT233/18+

  • 四雄微原装价优实在

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